Многократно программируемые ПЗУ

Многократно программируемые ПЗУ

Среди полупроводниковых приборов, используемых в цифровой и вычислительной технике, существует многочисленный класс микросхем, выполняющих функции долговременного хранения информации. Они предназначены для работы в блоках памяти ЭВМ, устройствах сбора и хранения информации, в аппаратуре автоматики и контроля для хранения констант, программ, системного программного обеспечения, результатов вычислений, промежуточных значений функций.

Если при отключении напряжения питания информация в запоминающем устройстве (ЗУ) не пропадает и при его восстановлении из ЗУ можно считывать ранее содержавшуюся в нем информацию, то такое ЗУ называется постоянным запоминающим устройством — ПЗУ.

По способу занесения информации ПЗУ разделяются на программируемые изготовителем (масочные ПЗУ) и на программируемые потребителем, которые, в свою очередь, подразделяются на однократно программируемые ПЗУ (ППЗУ или PROM) и на многократно перепрограммируемые ПЗУ — стираемые перепрограммируемые ПЗУ (СППЗУ пли EPROM). Стирают ранее записанную информацию, облучая кристалл полупроводника ультрафиолетовым излучением через кварцевое стекло в крышке корпуса ИМС или подавая электрические импульсы.

Многократно программируемые ПЗУ

Программирование ПЗУ производится на специальных устройствах программаторах. На адресные входы ИМС СППЗУ подается код адреса, а на выходы — записываемая информация, в соответствии с которыми выбираются те запоминающие элементы, которые будут подвергнуты программированию. На управляющие входы ИМС подаются электрические импульсы определенной амплитуды и длительности, которые воздействуют на запоминающий элемент и вызывают в нем физические или структурные изменения. В результате при чтении запоминающий элемент будет выдавать на выход инверсную информацию но сравнению с незапрограммированным состоянием.

Многократно перепрограммируемые СППЗУ изготавливаются на основе запоминающего элемента, представляющего собой нолевой транзистор с двумя затворами, один из которых «плавающий», так как он со всех сторон окружен слоем изолятора. Информация хранится в «плавающем» затворе в виде зарядов электронов, которые инжектируются в него при программировании. Транзистор, у которого «плавающий» затвор заряжен, обладает повышенным пороговым напряжением отпирания по сравнению с транзистором с незаряженным «плавающим» затвором. Поэтому из запоминающего элемента с заряженным «плавающим» затвором считывается логический 0, а из запоминающего элемента с незаряженным «плавающим» затвором считывается логическая 1. Заряд на «плавающем» затворе и, следовательно, информация в СППЗУ может храниться более 10 лет.

СТИРАЕМЫЕ УФ-ИЗЛУЧЕНИЕМ ПРОГРАММИРУЕМЫЕ МИКРОСХЕМЫ

СТИРАЕМЫЕ УФ-ИЗЛУЧЕНИЕМ ПРОГРАММИРУЕМЫЕ МИКРОСХЕМЫ

0 B ≤ Uil ≤ 0,4 В — входное напряжение лог. 0,
2,4 B ≤ UIH ≤ 6 В — входное напряжение лог. 1,
IIH ≥ 10 мкА — входной ток лог. 1,
IIL ≤ 10 мкА — входной ток лог. 0,
Uol ≤ 0,4 В — выходное напряжение лог. О,
Iон ≥ 2,4 В — выходное напряжение лог. 1,
IOL ≤ 1,6 мА — выходной ток лог. 0,
IIН ≥ 0,1 мА — выходной ток лог. 1,
UCc=5±0,25 В — напряжения питания.
Для К573РФ1:
Ucc1=5±0,25 В;
Ucc2=12±1,2 В;
Ucc3=-5±0,25 В.
Диапазон рабочих температур: -10…+70°С.

Управление работой ИМС СППЗУ осуществляется подачей сигналов на входы адреса — А, «выбор кристалла» — CS или «разрешение выходов» — ОЕ (OUTPUT ENABL).

Основные данные стираемых ультрафиолетовым излучением программируемых микросхем ПЗУ (СППЗУ) приведены в таблице.

В. АНДРЕЕВ

Рекомендуем почитать

  • КрАЗы ИЗ СССРКрАЗы ИЗ СССР
    История Кременчугского автозавода началась в 1930-е годы, когда в Полтавской области развернулось строительство авиазавода. Но начавшаяся война не позволила реализовать задуманного и...
  • В ТЕНИ «АСАМЫ» (БРОНЕНОСНЫЙ КРЕЙСЕР «ТИЁДА»)В ТЕНИ «АСАМЫ» (БРОНЕНОСНЫЙ КРЕЙСЕР «ТИЁДА»)
    Вскоре после полуночи 27 января (по ст. ст.) 120 лет тому назад внезапной атакой истребителей миноносцев под флагом «Страны восходящего солнца» на русскую эскадру, стоявшую на внешнем...
Тут можете оценить работу автора: