Наша мастерская

ШЛИФОВАНИЕ В «ВАННЕ»

13.03.2015
ШЛИФОВАНИЕ В «ВАННЕ»Остроумное решение обработки шлифовальным кругом внутренней поверхности труб или полых деталей предложили новаторы Н. Апифанов, А. Чуприков, Ю. Шабалин.
 
Чтобы создать для абразива наиболее благоприятную рабочую среду, то есть обеспечить ему возможность постоянного увлажнения, по обеим сторонам обрабатываемого отверстия вводятся особые заглушки, образующие своеобразную временную «ванну» внутри детали для смазочно-охлаждающей жидкости (СОЖ). При этом становится возможным поддерживать необходимый уровень СОЖ: примерно четвертую часть диаметра отверстия.
 
Шлифование погруженным кругом:
 
1 — деталь; 2 — круг; 3 — смазочно-охлаждающая жидкость (СОЖ); 4, 6 — заглушки; 5 — трубка подачи СОЖ.
 
Предложенный способ оказался достаточно простым и вместе с тем эффективным. Он не требует специального оборудования и может быть применен на любом шлифовальном участке. Режимы обработки благодаря «ванне» и СОЖ наилучшим образом соответствуют технологическим требованиям, предъявляемым при проведении внутреннего шлифования.
 
Обработка отверстий погруженным кругом дает возможность получать чистоту внутренней поверхности 9—10-го класса и точность не ниже 2-го класса.




Рекомендуем почитать
  • С ПРИЦЕЛОМ НА КАЧЕСТВО
    С ПРИЦЕЛОМ НА КАЧЕСТВОРазрезана ленточка на торжественном открытии Центральной выставки НТТМ-80 на ВДНХ СССР — своеобразный финиш третьего, итогового этапа Всесоюзного смотра научно-технического творчества молодежи, который был посвящен 110-й годовщине со дня рождения В. И. Ленина. В залах 20 тысяч экспонатов, по стране — 20 миллионов юношей и девушек, молодых новаторов, вносящих творческий вклад в ускорение научно-технического прогресса. За четыре года десятой пятилетки участниками НТТМ различных отраслей народного хозяйства разработано свыше 4 млн. рационализаторских предложений, изобретений, дающих экономию более 5 млрд. руб.

Добавить комментарий

Защитный код
Обновить

ПОДПИСЫВАЙТЕСЬ VK FB


Нашли ошибку? Выделите слово и нажмите Ctrl+Enter.