ГОМЕЛЬСКИЕ СХЕМЫ

Много интересных приборов создано в радиокружке Гомельского Дворца пионеров и школьников имени В. И. Ленина. Вот некоторые из них: импульсная фотовспышка и прибор для проверки мощных транзисторов, разработанный членами кружка Валерием Денисенко и Сергеем Закружным.

ИМПУЛЬСНАЯ ФОТОВСПЫШКА

работает совместно с обычными лампами накаливания, включенными на повышенное напряжение. Правда, если лампу, рассчитанную на напряжение 127 В, включить на 220 В, она прослужит не более 15 мин. Но достаточно сократить время горения лампы до 0,2 с — и нить накала сможет выдержать несколько тысяч включений. Это обстоятельство и использовано в фотовспышке, схема которой представлена на рисунке 1.

Рис. 1. Принципиальная схема фотовспышки.

Рис. 2. Внешний вид фотовспышки

Трансформатор Тр1 намотан на сердечнике из пластин Ш12, толщина набора 35 мм. Первичная обмотка содержит 2640 витков провода ПЭЛ 0,1, вторичная — 1524 витка ПЭЛ 0,15. Р1 — электромагнитное реле с сопротивлением обмотки 5000 Ом. Детали схемы смонтированы на шасси, размещенном в пластмассовом или металлическом корпусе (рис. 2), на лицевой панели которого установлены клеммы и гнезда для подключения ламп и фотоаппарата (СК).

ПРИБОР ДЛЯ ПРОВЕРКИ МОЩНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

позволяет измерить коэффициент усиления, обратный и начальный ток коллектора транзисторов типа П4, П201, П203, П216.

Собран прибор на базе стрелочного. Ток полного отклонения стрелки — 1 мА. Транзистор подключают к клеммам КБ9 (рис. 3).

Рис. 3. Схема прибора для проверки мощных транзисторов.

Чтобы измерить коэффициент усиления β, тумблер В1 необходимо установить в положение 1. В положении 2 тумблера В1 измеряют начальный ток коллектора. Схема при этом будет скоммутирована так, что миллиамперметр оказывается включенным в цепь коллектора без шунта, а выводы эмиттера и базы закорочены.

Обратный ток коллекторного перехода измеряют также в положении 2 тумблера В1, отключив вывод эмиттера транзистора от клеммы Э.

Питается прибор от одной батареи 3336Л.